第二是大功率电力电子器件。快充装置、输变电系统、轨道交通、电动汽车和充电桩等都需要大功率、高效率的电力电子器件。碳化硅、氮化镓等宽禁带半导体等具有比其他半导体材料更为明显的优势。
碳化硅,作为发展的最成熟的第三代半导体材料,其宽禁带,高临界击穿电场等优势,是制造高压高温功率半导体器件的优质半导体材料。
目前,业内普遍认为以SiC为代表的宽禁带半导体将成为下一代半导体主要材料,那么宽禁带半导体当前发展状况如何?国内外发展宽禁带半导体有哪些区别?未来发展面临着哪些挑战?
目前,业内普遍认为以SiC为代表的宽禁带半导体将成为下一代半导体主要材料,那么宽禁带半导体当前发展状况如何?国内外发展宽禁带半导体有哪些区别?未来发展面临着哪些挑战?
根据西安邮电大学介绍,该新型半导体器件与材料重点实验室拥有大约30余人,具备完整的氧化镓工艺实验线及超净工艺间,主要研究超宽禁带氧化镓材料与器件。
书中自有黄金屋,书中自有……异世界?